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硅晶体

 
  硅晶体在3到5微米的波段主要用于光学窗口片和生产滤光片的基底。因为它本身具有高导热和低密度的特性,经常用于激光反射镜。硅晶体在20微米也可用作发射器。抛光的大块硅晶体也经常用于中子物理实验。硅晶体是由提拉技术而生成的,包括由氧气形成的一个在9微米的吸收带。为了避免这个吸收带,材料可以通过火焰法加工。为了使得在10微米以上有更好的透过,光学级别的硅晶体一般会少量的掺杂( 5 to 40 ohm cm) 。
 

硅晶体

>>光学特性
参数
数值
光学成份
通过波段
1.2 to 15 microns
折射系数
3.4223 at 5 microns
反射损耗
46.2% at 5 microns (2 surfaces)
Restrahlen 峰值
1 x 10-3 cm-1 at 3 microns
dN/dT
160 x 10-6e/°C
dN/dμ = 0 10.4μm
物理学成份
密度
2.33 g/cm3
熔点
1420 °C
导热系数
163.3 W/(m*K) at 273K
热膨胀系数
4.15 x 10-6/°C
硬度
Knoop 1150
比热容
703J/(kg K)
介质常数
13 at 10MHz
杨氏模量(E)
131 GPa
刚性模量(G)
79.9 GPa
体积模量(K)
102GPa
弾性系数
C11 = 167 C12 = 65 C44 = 80
视弹性系数
36.54 MPa
泊松比
0.266
化学成份
溶度
Insoluble in water
分子量
28.09
类别、结构
Cubic diamond, Fd3m
 
折射系数          
波长
1.40
1.50
1.66
1.82
2.05
折射率
3.94
3.48
3.47
3.46
3.46
波长
2.50
3.50-5.00
6.00-25.00
折射率
3.44
3.44
3.42
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